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神谷 富裕; 宇都宮 伸宏*; 峰原 英介; 田中 隆一; 大泊 巌*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 64, p.362 - 366, 1992/00
被引用回数:30 パーセンタイル:91.05(Instruments & Instrumentation)原研のTIARA施設に設置された3MVタンデム加速器に重イオンによる半導体素子のシングルイベント効果の実験を目的としたマイクロビーム装置が取付けられた。同効果の半導体素子における部位依存性を調べるために、マイクロビーム形成、ビーム照準、シングルイオンヒットの3つの基本的な技術が要求される。本装置は、これらの技術を確立するために早稲田大学で行われたマイクロビーム装置とシングルイオンヒットの予備実験の成果に基づいて設計された。今回は、本装置の概要を報告する。
石井 保行; 大久保 猛; 神谷 富裕; 齋藤 勇一
no journal, ,
MeVイオンマイクロビームは、レーザー光や電子ビームにない物質中での高い直進性を有するが、形成する装置が大型であるため、これが普及の妨げとなっている。そこで、小型装置でこのビームの形成を実現するために、そのプロトタイプとして、イオン源と3段加速レンズ系で構成される300keV小型イオンマイクロビーム形成装置を開発している。この装置は組立てを完了して140150keVの範囲でマイクロビーム形成試験を行う段階にあり、得られたビーム径を理論予測値と比較することで、レンズ性能を評価した。実験での水素イオンビーム径は、ナイフエッジを用いたビーム径測定装置を用いて測定し、143.28keVで最小径(極小値)17.20.5mを得た。この後、この径の周辺でのレンズ系の性質を調べるため、3段加速レンズ系の最終レンズの電圧のみを変えたところ141.78keV及び144.78keVで、それぞれビーム径25.00.4m及び21.70.5mになった。この時のレンズ系のパラメータを用いて計算したビーム径はこれらの測定値と10%以下の範囲で一致し、加速レンズの性質から電圧を外挿することで最大電圧の300keVにおいてもレンズ系が設計通りに機能していることが分かった。これから、このレンズ系の基本構造を用いることによりMeV領域の小型イオンマイクロ形成装置を開発できる見通しが得られた。